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上場企業 神工半導体
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2013-2014
世界初となる直径420mm・結晶方位〈111〉の単結晶シリコンの量産に成功
2014- 03-03

世界初となる直径420mm・結晶方位〈111〉の単結晶シリコンの量産に成功
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潘連勝博士により創業され、創業時より、短い生産リードタイムと高歩留まりを特徴とする高効率な結晶引上げ技術が導入された。
2013- 07-17

潘連勝博士により創業され、創業時より、短い生産リードタイムと高歩留まりを特徴とする高効率な結晶引上げ技術が導入された。
潘連勝博士により創業され、創業時より、短い生産リードタイムと高歩留まりを特徴とする高効率な結晶引上げ技術が導入された。
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2014-03

世界初となる直径420mm・結晶方位〈111〉の単結晶シリコンの量産に成功

世界初となる直径420mm・結晶方位〈111〉の単結晶シリコンの量産に成功

世界初となる直径420mm・結晶方位〈111〉の単結晶シリコンの量産に成功

17

2013-07

潘連勝博士により創業され、創業時より、短い生産リードタイムと高歩留まりを特徴とする高効率な結晶引上げ技術が導入された。

潘連勝博士により創業され、創業時より、短い生産リードタイムと高歩留まりを特徴とする高効率な結晶引上げ技術が導入された。

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